堆叠型晶片封装结构
专利权的终止
摘要

本发明是有关于一种堆叠型晶片封装结构,其包括一基板、一第一晶片、多数条打线导线、一第二晶片和多个B阶导电凸块(B-stage conductivebump)。其中,第一晶片设置在基板上,且第一焊垫是配置于其主动表面上。此外,第一焊垫经由打线导线而与基板电性连接。第二晶片设置在第一晶片的上方,且其主动表面上设置有多个第二焊垫。第二晶片上的第二焊垫分别经由各B阶导电凸块而电性连接至第一晶片的第一焊垫,且各B阶导电凸块覆盖于相应的打线导线的一部分。

基本信息
专利标题 :
堆叠型晶片封装结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1964036A
申请号 :
CN200510115213.X
公开(公告)日 :
2007-05-16
申请日 :
2005-11-11
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
沈更新
申请人 :
南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾
代理机构 :
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 :
寿宁
优先权 :
CN200510115213.X
主分类号 :
H01L25/00
IPC分类号 :
H01L25/00  H01L23/488  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
法律状态
2019-11-05 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 25/00
申请日 : 20051111
授权公告日 : 20090805
终止日期 : 20181111
2009-08-05 :
授权
2007-07-11 :
实质审查的生效
2007-05-16 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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