插件结构及其制造方法、晶片级堆叠结构和封装结构
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种制造芯片嵌入型插件的方法，其可以包括：在硅衬底上形成至少一个凹腔，形成多个穿入所述硅衬底的通路，提供具有多个输入/输出焊盘的集成电路芯片，以及形成连接于所述输入/输出焊盘和通路的重布线导体。使用所述插件，可以在晶片的层次上组成具有不同种类的芯片的堆叠结构。
基本信息
专利标题 ：
插件结构及其制造方法、晶片级堆叠结构和封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1893053A
申请号 ：
CN200610054947.6
公开（公告）日 ：
2007-01-10
申请日 ：
2006-02-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李康旭金玖星权容载马金希韩成一
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李晓舒
优先权 ：
CN200610054947.6
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498 H01L23/50 H01L25/065 H01L25/18 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2009-10-21 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-04-16 ：
实质审查的生效
2007-01-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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