晶片电阻的制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明是有关于一种晶片电阻的制造方法，主要是在基板上形成有复数横向的分离线及复数穿槽，并定义各两相对穿槽及两分离线之间是一元件区，各元件区内分别印刷有主电极及电阻层，再依序纵向延着穿槽将基板分离为数个电阻单元排，将电阻单元排相互堆叠，在元件区顶面与底面的主电极以及穿槽的内侧壁镀上内层电极后，将电阻单元排沿分离线分离形成多个晶片电阻单元个体，在晶片电阻单元个体的内层电极上镀上外层电极，即形成一粒粒的晶片电阻，如此一来，晶片电阻的整个生产过程将具有更高的良率以及更佳的效率。
基本信息
专利标题 ：
晶片电阻的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822250A
申请号 ：
CN200610058144.8
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-03-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陆秀强郭俊雄
申请人 ：
华新科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200610058144.8
主分类号 ：
H01C7/00
IPC分类号 ：
H01C7/00 H01C17/06 H01C17/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01C
电阻器
H01C7/00
用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器
法律状态
2009-05-06 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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