一种耐冲击晶片电阻器及晶片电阻器的制造方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种耐冲击晶片电阻器及晶片电阻器的制造方法,涉及电阻器技术领域,包括电阻器本体,所述电阻器本体还包括安装在底部的基板,所述基板顶部固定连接阻抗元素,所述阻抗元素顶部安装有基层密封层,所述基层密封层顶部固定连接第二层密封层,所述基板一侧安装有内端面,所述内端面外表面安装有中端面,所述中端面外表面固定连接外端面,所述基板顶部安装有第一导电板,所述第一导电板一侧固定连接陶瓷管,所述陶瓷管一端安装有第二导电板,所述陶瓷管外表面套接镍线,所述基板还安装有导电板一,本发明具有制作成本低、使用寿命长、耐高温、氧化和耐腐蚀性好的优点,提高了晶片电阻器的耐冲击性能、安全性和稳定性。

基本信息
专利标题 :
一种耐冲击晶片电阻器及晶片电阻器的制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114334321A
申请号 :
CN202210060875.5
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2022-01-19
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈燕灵陈奕生
申请人 :
深圳市宏远立新电子有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市龙岗区坂田街道布龙路335号龙景工业园F栋801
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202210060875.5
主分类号 :
H01C7/00
IPC分类号 :
H01C7/00  H01C1/024  H01C1/084  H01C17/00  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01C
电阻器
H01C7/00
用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器;由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01C 7/00
申请日 : 20220119
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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