单晶的制造方法及退火晶片的制造方法

发明专利申请公布后的驳回

摘要

一种单晶的制造方法，是通过切克劳斯基法在处理室内从相同的坩埚中的原料熔液4，提拉二根以上单晶3之多重牵引(multi－pulling)法，针对在从原料熔液4提拉单晶3之后，没有关闭加热器7的电源而将多晶原料追加投入残留的原料熔液4中，将其熔解之后，提拉下一根单晶3，重复这些步骤来进行二根以上单晶3的提拉之单晶的制造方法，其特征为：在将使单晶3的晶身部成长时的提拉速度V和固液界面附近的提拉轴方向的结晶温度梯度G的比，设为V/G的情况，为了要将各个提拉的单晶3的V/G控制成规定值，按照从开始操作算起的经过时间，在开始提拉单晶之前，事前修正上述提拉速度V等的提拉条件，来生长具有所希望的缺陷区域之单晶3。

基本信息

专利标题：

单晶的制造方法及退火晶片的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101080515A

申请号：

CN200580043234.3

公开（公告）日：

2007-11-28

申请日：

2005-10-21

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

星亮二柳町隆弘

申请人：

信越半导体股份有限公司

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

高龙鑫

优先权：

CN200580043234.3

主分类号：

C30B15/20

IPC分类号：

C30B15/20 C30B33/02 C30B29/06