InP单晶锭退火处理方法
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
一种InP单晶锭退火处理方法，包括如下步骤：步骤1：将生长出的InP单晶表面用去离子水清洗，去掉残留的氧化硼；步骤2：然后用有机溶剂擦洗，用去离子水冲洗后晾干待用；步骤3：准备石英管和封泡，用王水浸泡后去离子水冲洗干净，烘干待用；步骤4：将晶体直接放入石英管内，同时放入红磷；步骤5：然后放封泡后用机械泵抽真空，用氢氧焰烧结封口；步骤6：将装有晶体的石英管放入退火炉内退火，完成InP单晶锭退火处理。本发明可以解决生长出的化合物半导体单晶InP中存在着很高的残留热应力，极容易造成晶体在切割过程中开裂以及晶片在研磨、抛光、清洗和使用过程中碎裂，提高晶体的质量。
基本信息
专利标题 ：
InP单晶锭退火处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1936119A
申请号 ：
CN200510086482.8
公开（公告）日 ：
2007-03-28
申请日 ：
2005-09-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵友文段满龙
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汤保平
优先权 ：
CN200510086482.8
主分类号 ：
C30B33/02
IPC分类号 ：
C30B33/02 C30B29/40
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/02
热处理
法律状态
2009-11-18 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2008-05-14 ：
授权
2007-05-23 ：
实质审查的生效
2007-03-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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