一种单晶硅片退火冷却箱
授权
摘要
本实用新型公开了一种单晶硅片退火冷却箱，包括箱体，所述箱体底端固定设置有固定框，所述固定框内部底端中部通过安装座固定设置有单相电机，所述单相电机的输出端固定设置有转杆，所述箱体内部底端活动设置有安装板。本实用新型在进行冷却作业时同时通过控制开关启动冷却机和风机，并通过风机把空气通过管体送进冷却机内部最后输送进箱体内部，且对单晶硅片进行冷却再通过排气罩排出，且再通过控制开关启动单相电机带动转杆转动，再通过转杆通过带动安装板、放置板进行转动则就会带动放置后的单晶硅片转动，这样可以防止在冷却时冷却的风只吹在单晶硅片的一边造成冷却不均匀的情况而降低冷却的效率。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶硅片退火冷却箱
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020992751.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-03
授权号 ：
CN212713849U
授权日 ：
2021-03-16
发明人 ：
王德喜
申请人 ：
天津莱昌电子科技有限公司
申请人地址 ：
天津市河北区光复道街海河东路49号801
代理机构 ：
北京久维律师事务所
代理人 ：
邢江峰
优先权 ：
CN202020992751.7
主分类号 ：
C30B33/02
IPC分类号 ：
C30B33/02 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/02
热处理
法律状态
2021-03-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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