单晶炉硅芯退火装置
授权
摘要

本实用新型公开了一种单晶炉硅芯退火装置,包括石墨连杆、硅芯支架和硅芯托盘;在竖直设置的石墨连杆的顶端设有与单晶炉内拉晶重锤底部的内螺纹相匹配的外螺纹;在石墨连杆的中部固定设有与石墨连杆同心设置的硅芯支架,在硅芯支架上均匀开设有若干通孔;在石墨连杆的底端固定设有与石墨连杆同心设置的硅芯托盘,在硅芯托盘上开设有若干凹槽;凹槽与通孔的数量相等,且每个凹槽均与对应的通孔位于同一竖直线上。优点:本实用新型结构简单、制作成本低,填补了目前没有专门用于单晶炉硅芯退火的配套装置的空白,具有较大的推广价值。

基本信息
专利标题 :
单晶炉硅芯退火装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020196324.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-02-21
授权号 :
CN211471640U
授权日 :
2020-09-11
发明人 :
李帅吴海啸宋永光张建超路家忠李洋刘凯珍
申请人 :
内蒙古和光新能源有限公司
申请人地址 :
内蒙古自治区呼和浩特市经济技术开发区沙尔沁工业区开放大街审图中心主楼3007-2
代理机构 :
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
刘永珍
优先权 :
CN202020196324.8
主分类号 :
C30B33/02
IPC分类号 :
C30B33/02  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/02
热处理
法律状态
2020-09-11 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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