本实用新型公开了一种原位退火可控的碳化硅单晶生长装置，属于晶体制备技术领域；包括真空炉，真空炉包括真空腔体和腔体外部的加热装置，真空炉连接有送风管道和排风管道，排风管道通过风机与风冷换热装置的进风口相连接，送风管道与风冷换热装置的出风口相连接，风冷换热装置的换热介质进出管路上设置有流量控制阀；本实用新型可以实现晶体的稳定快速退火：通过加大风冷装置的冷水流量，使冷却风的温度降低，从而给中空腔快速降温；通过调整设备冷却系统冷却风的温度、风量，同时满足晶体的生长过程的安全冷却和快速退火过程中的快速冷却。