一种碳化硅单晶生长装置
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摘要

本实用新型公开了一种碳化硅单晶生长装置,包括工作腔体、可升降的穿设于工作腔体中的连接杆、用于驱动连接杆升降的第一驱动机构、设于工作腔体中的坩埚和用于为坩埚加热的加热机构;坩埚包括固设于连接杆底部的坩埚盖、可拆卸的连接在坩埚盖下方的坩埚本体;连接杆包括杆本体、开设于杆本体上的用于通入通出冷媒的第一通道、开设于杆本体上的用于通入工艺气体的第二通道;第一通道与第二通道相互隔断,第二通道与工作腔体连通;连接杆用于通过冷媒和/或工艺气体为坩埚盖降温;工作腔体还包括出气口。本实用新型一种碳化硅单晶生长装置,优化了热传导路径,使热量只通过坩埚盖传输,更易实现下高上低的温度场要求,提高了碳化硅单晶的生长质量。

基本信息
专利标题 :
一种碳化硅单晶生长装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920560860.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-04-23
授权号 :
CN209798158U
授权日 :
2019-12-17
发明人 :
李留臣周正星周洁
申请人 :
江苏星特亮科技有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市张家港市杨舍镇东莱东黎路8号(星特亮)
代理机构 :
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 :
刘鑫
优先权 :
CN201920560860.9
主分类号 :
C30B29/36
IPC分类号 :
C30B29/36  C30B23/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2019-12-17 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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