本实用新型涉及半导体材料长晶领域，涉及一种碳化硅单晶生长装置，包括：顶部开口的筒状坩埚，放置碳化硅原料；基座，一侧表面为单晶生长面；翻转板，翻转板和基座一起设置于坩埚的顶部开口处；第一驱动机构，使得翻转板带动基座的单晶生长面在朝向坩埚内部和背离坩埚内部之间进行切换。本实用新型实施例通过设置供料机构，将富碳的非化学计量比的碳化硅加以调整，调整回富硅的非化学计量比的碳化硅。同时设置翻转板，籽晶在翻转板的带动下背向碳化硅原料，避免未平衡的碳化硅源升华至籽晶表面，造成晶体质量不佳。从而解决了碳化硅从富硅朝富碳变化导致的晶体质量下降的问题，增加了晶体生长长度、提升了长晶效益、提高了碳化硅单晶的质量。