原位退火装置及单晶生长设备
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本实用新型提供了一种原位退火装置及单晶生长设备,涉及单晶生长技术领域。该原位退火装置包括用于套设在单晶生长设备的护筒外的筒体以及与筒体连接的多个加热部,加热部用于对护筒内的晶体加热,多个加热部沿筒体的轴向设置,多个加热部的加热温度逐渐降低。原位退火装置通过多个加热部沿筒体的轴向设置,且多个加热部的加热温度逐渐降低,可在护筒内生长的晶体逐渐下降的过程中持续加热并缓慢降温,起到退火效果,从而降低因生长晶体吸热能力差及下降时周围环境温差变大造成的晶体开裂的几率。包括上述原位退火装置的单晶生长设备结构简单、操作容易,能有效降低由于所生长单晶吸热能力差及在下降时周围环境温差变大所导致的热应力开裂问题。

基本信息
专利标题 :
原位退火装置及单晶生长设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020135831.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-01-20
授权号 :
CN212476954U
授权日 :
2021-02-05
发明人 :
李海峰吴思夏俊超朱英浩周鹏飞汤子康
申请人 :
澳门大学
申请人地址 :
中国澳门凼仔大学大马路澳门大学
代理机构 :
成都超凡明远知识产权代理有限公司
代理人 :
王晖
优先权 :
CN202020135831.0
主分类号 :
C30B33/02
IPC分类号 :
C30B33/02  C30B13/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/02
热处理
法律状态
2021-08-17 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C30B 33/02
变更事项 : 专利权人
变更前 : 澳门大学
变更后 : 澳门大学
变更事项 : 地址
变更前 : 凼仔大学大马路澳门大学
变更后 : 中国澳门凼仔大学大马路澳门大学
2021-02-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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