单晶生长加热装置

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种单晶生长加热装置，属单晶硅制备设备技术领域；结构中包括，坩埚，坩埚上方设置导流筒，坩埚底部设置支撑坩埚的坩埚支架，包围坩埚设置筒状加热器，加热器外围设置保温筒，其特征在于：所述的导流筒结构设计为带隔热空腔的环状结构，其隔热空腔下厚上薄，本实用新型的导流筒，可在拉晶过程中有效屏蔽周围热量、提高结晶速度和质量，合理调整导流筒底部与液面的距离可使炉内热场更加适于拉晶要求，本新型设备采用四瓣埚、可使其寿命延长从而降低了成本，同时使石英埚的变形应力得到有效缓解。

基本信息

专利标题：

单晶生长加热装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820105687.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-09-01

授权号：

CN201276609Y

授权日：

2009-07-22

发明人：

刘彬国张学强张呈沛何景辉

申请人：

宁晋晶兴电子材料有限公司

申请人地址：

055550河北省邢台市宁晋晶龙工业园

代理机构：

石家庄国为知识产权事务所

代理人：

米文智

优先权：

CN200820105687.5

主分类号：

C30B15/14

IPC分类号：

C30B15/14 C30B15/10

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B15/00

熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法

C30B15/14

熔融液或已结晶化材料的加热

法律状态

2016-10-19 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101683499091
IPC(主分类) : C30B 15/14
专利号 : ZL2008201056875
申请日 : 20080901
授权公告日 : 20090722
终止日期 : 20150901

2010-08-25 ：

专利实施许可合同备案的生效、变更及注销

专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101004088314
IPC(主分类) : C30B 15/14
专利申请号 : 2008201056875
专利号 : ZL2008201056875
合同备案号 : 2010130000043
让与人 : 宁晋晶兴电子材料有限公司
受让人 : 晶龙实业集团有限公司
实用新型名称 : 单晶生长加热装置
申请日 : 20080901
授权公告日 : 20090722
许可种类 : 独占许可
备案日期 : 20100628

2009-07-22 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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