一种直拉单晶硅用加热器及单晶生长炉
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摘要

本实用新型涉及直拉单晶硅技术领域,公开了一种直拉单晶硅用加热器及单晶生长炉,该直拉单晶硅用加热器包括圆筒状的主发热体,主发热体的筒体上设置有沿周向交替分布的第一缝隙和第二缝隙,第一缝隙与第二缝隙均沿主发热体的轴心线方向延伸,且第一缝隙的开口朝向与第二缝隙的开口朝向相反,第一缝隙和第二缝隙将主发热体分成多根依次串联的发热条,第一缝隙和第二缝隙的中间区域的宽度小于两端的宽度,以使每根发热条中间区域的宽度大于其两端的宽度。该直拉单晶硅用加热器能降低纵向的温度梯度,进而降低直拉单晶硅中的氧含量,达到减弱直拉单晶硅氧施主效应的目的。

基本信息
专利标题 :
一种直拉单晶硅用加热器及单晶生长炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921802643.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-24
授权号 :
CN211546715U
授权日 :
2020-09-22
发明人 :
关树军罗才军赵智强张伟新陈辉
申请人 :
北京京运通科技股份有限公司
申请人地址 :
北京市大兴区经济技术开发区经海四路158号
代理机构 :
北京同达信恒知识产权代理有限公司
代理人 :
郝志国
优先权 :
CN201921802643.2
主分类号 :
C30B15/14
IPC分类号 :
C30B15/14  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2020-09-22 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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