本发明公开了一种降低炉压生长n型直拉单晶硅的方法，包括以下步骤：(1)将多晶硅料和n型掺杂剂置于石英坩埚中，在氩气气氛下加热至稳定的熔硅；(2)在稳定的熔硅中引入籽晶，随后经缩颈、放肩后，进入等径生长阶段；(3)在等径生长的全阶段或者中后期阶段，保持拉晶速率不变，降低单晶炉内氩气气压，提高炉内真空度到适当值并保持至直拉单晶硅生长完成。本发明通过全阶段降压生长或局部阶段降压生长单晶硅棒，提高n型直拉单晶硅轴向电阻率的方法中，炉内真空度可以通过程序控制，方便快捷；能够减少氩气的使用量，降低气体使用成本；直拉单晶硅的轴向电阻率均匀性得到明显改善，显著提高了硅棒的利用率。