一种用于直拉单晶硅炉的排气罩
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于直拉单晶硅炉的排气罩，其结构包括底板、支撑脚、防漏容器、排气出口管道和输送机构，通过设置了输送机构在底板下端，进入防漏容器内部中的熔硅通过通道向外壳内部中传输，且电机带动绞龙转动，绞龙带动熔硅向上传输，并通过传输通道向石英坩埚内传输，便于对熔硅的收集和传导，二次利用，避免熔硅泄露，降低原料的损耗；通过设置了启动装置在防漏容器底端，防漏容器底端在容纳了一定的熔硅时，挡板受到重力向下转动，并推动推杆，使推杆挤压开关，并控制电机启动，可自动控制电机启动，便于对熔硅的传输。
基本信息
专利标题 ：
一种用于直拉单晶硅炉的排气罩
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021909852.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-03
授权号 ：
CN212983096U
授权日 ：
2021-04-16
发明人 ：
张忠华张俊吴雄凌继贝
申请人 ：
内蒙古豪安能源科技有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区包头市土默特右旗新型工业园区光伏光电产业园1号
代理机构 ：
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈冠霖
优先权 ：
CN202021909852.X
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-04-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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