保温筒排气结构和单晶硅炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种保温筒排气结构和单晶硅炉，涉及单晶硅生产设备技术领域，主要目的是提供一种能够使保温筒排气顺畅的保温筒排气结构。本实用新型的主要技术方案为：一种保温筒排气结构，包括：筒体，筒体具有底壁和侧壁，侧壁上设置至少两个凹槽，底壁上设置至少两个排气孔，每个凹槽的具有底面和第一侧面，底面位于侧壁上，第一侧面位于底壁上，排气孔设置在第一侧面。本实用新型主要用于生产单晶硅。
基本信息
专利标题 ：
保温筒排气结构和单晶硅炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922064957.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-26
授权号 ：
CN210886312U
授权日 ：
2020-06-30
发明人 ：
罗永伟汪奇陈昌林汪高峰李坤阳乔乐刘军军卢晓东
申请人 ：
新疆晶科能源有限公司
申请人地址 ：
新疆维吾尔自治区伊犁哈萨克自治州新源县北工业园区A区
代理机构 ：
北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孟阿妮
优先权 ：
CN201922064957.3
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-06-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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