一种防止直拉单晶硅石英坩埚变形的装置
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摘要

本实用新型公开了一种防止直拉单晶硅石英坩埚变形的装置。该装置包括石墨坩埚、石英坩埚、卡箍、定位螺丝;石英坩埚置于石墨坩埚内,卡箍设置在石英坩埚和石墨坩埚的上端,并且石英坩埚和石墨坩埚的上缘嵌入卡箍的凹槽内,卡箍和石墨坩埚上分别设有相互对应的定位孔,并通过定位螺丝固定。本实用新型的装置能够防止直拉单晶硅熔料过程中,由于坩埚软化严重或者石英坩埚上端挂料严重而变形的现象发生;保证单晶拉制的基本条件,避免不必要的损失。加装本实用新型的装置后,可以适当提高熔料功率,减少熔料时间,降低成本。

基本信息
专利标题 :
一种防止直拉单晶硅石英坩埚变形的装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922260970.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-13
授权号 :
CN211284617U
授权日 :
2020-08-18
发明人 :
秦瑞锋鲁强连庆伟崔维学盖晶虎姜舰
申请人 :
山东有研半导体材料有限公司
申请人地址 :
山东省德州市经济技术开发区袁桥镇东方红东路6596号(中元科技创新创业园)A座921室
代理机构 :
北京北新智诚知识产权代理有限公司
代理人 :
刘秀青
优先权 :
CN201922260970.6
主分类号 :
C30B15/12
IPC分类号 :
C30B15/12  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/10
承载熔融液的坩埚或容器
C30B15/12
双坩埚法
法律状态
2020-08-18 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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