一种单晶硅坩埚脱模装置
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摘要
一种单晶硅坩埚脱模装置，该装置包括机架、用于对石英坩埚内壁切割或开槽的锯片、用于撑裂石英坩埚的楔形片、支持锯片和楔形片相互轮转和升降的支撑装置、将坩埚顶紧于驱动轮的配重装置。该装置可取代人工敲击实现非敲击式脱模，实现碳碳坩埚与石英坩埚的顺利分离，一方面可大大降低工作人员劳动强度，另一方面在作业过程对碳碳坩埚震动极小，大大降低碳碳坩埚的损坏几率，从而显著降低碳碳坩埚使用成本；其次，本发明可对温度较高的坩埚进行作业，大大缩短坩埚等待时间提高碳碳坩埚循环效率。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶硅坩埚脱模装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022277057.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-14
授权号 ：
CN213739777U
授权日 ：
2021-07-20
发明人 ：
尹长浩
申请人 ：
尹长浩
申请人地址 ：
江苏省连云港市东海县牛山街道和平西路104号8幢1单元102室
代理机构 ：
连云港联创专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
鲁超
优先权 ：
CN202022277057.X
主分类号 ：
C30B15/12
IPC分类号 ：
C30B15/12 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/10
承载熔融液的坩埚或容器
C30B15/12
双坩埚法
法律状态
2021-07-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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