用于类单晶硅铸锭的坩埚装料结构
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摘要
本实用新型提供了一种用于类单晶硅铸锭的坩埚装料结构。所述装料结构包括坩埚本体、设置于坩埚本体内的籽晶层、设置于籽晶层上方的硅片保护层、设置于硅片保护层上方且采用直径不大于5mm的小颗粒硅料铺设形成的缓冲层以及设置于缓冲层上方的碎硅料。本实用新型通过在籽晶层上面设置硅片保护层和缓冲层，平衡缓解上方碎硅料的压力，避免籽晶层表面受到碎硅料挤压造成的初始缺陷。
基本信息
专利标题 ：
用于类单晶硅铸锭的坩埚装料结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922262242.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-17
授权号 ：
CN211339731U
授权日 ：
2020-08-25
发明人 ：
王全志陈伟李林东唐珊珊陈志军
申请人 ：
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区鹿山路199号
代理机构 ：
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
胡彭年
优先权 ：
CN201922262242.9
主分类号 ：
C30B11/00
IPC分类号 ：
C30B11/00 C30B28/06 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2020-08-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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