坩埚盖板与晶体硅铸锭设备
授权
摘要
本申请提供一种坩埚盖板与晶体硅铸锭设备,所述坩埚盖板包括主体部与边角部,所述边角部与所述主体部拼接呈一体或与所述主体部相分离。所述晶体硅铸锭设备包括底板与护板,所述底板与护板形成向上开口并用以收容坩埚的容置腔,所述坩埚盖板用以遮蔽所述容置腔。所述坩埚盖板具有第一使用状态与第二使用状态,第一使用状态下,主体部与边角部相互拼接呈一体并盖设在所述容置腔上方,第二使用状态下,所述主体部独立盖设在所述容置腔上方,且所述主体部的外周形成有气流通道。本申请坩埚盖板通过可相互拼接或分离的主体部与边角部设计,降低边角磕碰受损的风险,结构简洁,并可满足不同的铸锭工艺需求。
基本信息
专利标题 :
坩埚盖板与晶体硅铸锭设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922262245.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-17
授权号 :
CN211339740U
授权日 :
2020-08-25
发明人 :
陈伟王全志李林东唐珊珊丁云飞
申请人 :
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市高新区鹿山路199号
代理机构 :
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
胡彭年
优先权 :
CN201922262245.2
主分类号 :
C30B29/06
IPC分类号 :
C30B29/06 C30B35/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2020-08-25 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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