热交换平台与晶体硅铸锭设备
授权
摘要
本申请提供一种热交换平台与晶体硅铸锭设备，包括开设有凹槽的平台主体以及可拆卸安装在所述凹槽内的导热块。通过所述导热块的设计，能够获取具有不同导热特性的热交换平台，使得相应的坩埚底部不同区域具有不同的散热速率，进而实现坩埚内固液长晶界面的调节，提高铸锭质量。
基本信息
专利标题 ：
热交换平台与晶体硅铸锭设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922218752.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-11
授权号 ：
CN211814717U
授权日 ：
2020-10-30
发明人 ：
陈伟王全志周硕丁云飞
申请人 ：
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区鹿山路199号
代理机构 ：
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
胡彭年
优先权 ：
CN201922218752.6
主分类号 ：
C30B28/06
IPC分类号 ：
C30B28/06 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B28/00
制备具有一定结构的均匀多晶材料
C30B28/04
由液态制备
C30B28/06
正常凝固法或温度梯度凝固法
法律状态
2020-10-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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