坩埚与晶体硅铸锭设备
授权
摘要
本申请提供一种坩埚与晶体硅铸锭设备,所述坩埚包括底壁与周壁,所述底壁与周壁围设形成装料空间,所述周壁具有内壁面、外壁面及连接所述内壁面与外壁面的顶面;所述内壁面设有进气孔,所述顶面设有出气孔,所述进气孔与出气孔相连通形成导流通道。所述坩埚用于晶体硅铸锭过程中,吹入所述坩埚内的气体在沿内壁面向上流动时,有一部分会进入进气孔后,从顶面上的出气孔流出,该部分气体可更顺利地排出,减小坩埚内的气体回流,提高铸锭质量。
基本信息
专利标题 :
坩埚与晶体硅铸锭设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922258986.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-16
授权号 :
CN211339737U
授权日 :
2020-08-25
发明人 :
陈伟王全志李林东唐珊珊陈志军
申请人 :
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市高新区鹿山路199号
代理机构 :
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
胡彭年
优先权 :
CN201922258986.3
主分类号 :
C30B28/06
IPC分类号 :
C30B28/06 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B28/00
制备具有一定结构的均匀多晶材料
C30B28/04
由液态制备
C30B28/06
正常凝固法或温度梯度凝固法
法律状态
2020-08-25 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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