晶体硅铸锭炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种晶体硅铸锭炉,其包括炉体、设置于所述炉体内的隔热笼以及加热器组件,所述加热器组件包括设置于所述隔热笼内与所述隔热笼侧壁相对设置的侧部加热器,所述侧部加热器包括上下分立设置的上侧部加热器及下侧部加热器;基于本实用新型所提供晶体硅铸锭炉的具体结构,在类单晶铸锭的加热化料步骤中,上侧部加热器以相对较高功率运行可以加快硅料的熔化速率,而同时下侧部加热器以相对较低功率可以有效避免铸锭炉内籽晶过分熔化,如此可以在确保后续晶体硅具有较好长晶质量的同时缩短加热化料步骤所耗时间,进而降低类单晶的铸锭成本。
基本信息
专利标题 :
晶体硅铸锭炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922326539.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-23
授权号 :
CN211339741U
授权日 :
2020-08-25
发明人 :
陈伟丁云飞李林东王全志陈志军
申请人 :
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市高新区鹿山路199号
代理机构 :
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
张炜平
优先权 :
CN201922326539.7
主分类号 :
C30B29/06
IPC分类号 :
C30B29/06 C30B28/06 C30B11/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2020-08-25 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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