用于晶体硅铸锭的籽晶层结构

授权

摘要

本申请提供了一种用于晶体硅铸锭的籽晶层结构，包括相邻排布的若干条状籽晶，所述条状籽晶具有沿其长度方向相对设置的两个端面，至少部分所述条状籽晶沿长度方向与另一条状籽晶相抵接，所述条状籽晶抵接在另一条状籽晶上的端面与沿长度方向延伸的直线的夹角设置为45～80度。本申请通过对条状籽晶的端面进行加工设计，调整端面的晶向，引入低界面能态的晶界，降低缺陷密度。

基本信息

专利标题：

用于晶体硅铸锭的籽晶层结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921671970.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-10-08

授权号：

CN211339734U

授权日：

2020-08-25

发明人：

陈伟王全志李林东陈志军毛亮亮周硕丁云飞王万圣邢国强

申请人：

苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市高新区鹿山路199号

代理机构：

苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

胡彭年

优先权：

CN201921671970.9

主分类号：

C30B11/14

IPC分类号：

C30B11/14