一种导模法晶体生长用籽晶夹和籽晶的连接结构
授权
摘要

本实用新型公开了一种导模法晶体生长用籽晶夹和籽晶的连接结构,涉及晶体生产领域,其中籽晶夹包括圆柱体状的本体,其顶部圆面中央开设内螺纹连接口,本体侧面下部切削出一个平面,该平面为安装面,安装面中央开设一个倒置梯形的卡槽,卡槽贯穿本体下表面;籽晶为长方体状,其上端切削成倒梯形状的卡接部,卡接部两侧为锐角切口,卡接部底边两侧形成两个卡接面;籽晶上端的卡接部从安装面一侧横向插接在籽晶夹的卡槽内,卡接面接触并抵在籽晶夹本体底面;籽晶夹和籽晶配合使用连接牢固,防止籽晶提拉过程中移动。

基本信息
专利标题 :
一种导模法晶体生长用籽晶夹和籽晶的连接结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022293573.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-10-15
授权号 :
CN213447380U
授权日 :
2021-06-15
发明人 :
唐晶晶智国磊张光懿高乐乐赛青林赵芬池建义
申请人 :
中国科学院包头稀土研发中心
申请人地址 :
内蒙古自治区包头市稀土高新区黄河大街36号
代理机构 :
北京挺立专利事务所(普通合伙)
代理人 :
王莉
优先权 :
CN202022293573.1
主分类号 :
C30B15/34
IPC分类号 :
C30B15/34  C30B15/32  C30B15/36  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/34
使用成型模或缝隙的边缘限制熔膜供料的晶体生长
法律状态
2021-06-15 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN213447380U.PDF
PDF下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332