硅晶体生长设备的尾气导走装置
专利权的终止
摘要
本实用新型公开了一种硅晶体生长设备的尾气导走装置,包括入口端并联接入硅晶体生长炉的尾气出口的真空管路系统和尾气处理管路系统,真空管路系统的出口端和尾气处理管路系统的出口端均接入喷淋系统;所述的真空管路系统从入口端至出口端依次包括通过管路连接的除尘筒、真空泵和油烟净化器;所述的尾气处理管路系统从入口端至出口端依次包括通过管路连接的除尘器和风机。本实用新型装置主要用于硅拉晶炉的改造。尾气导走装置可有效地解决P、Sb、As污染物在生产过程中和停炉开炉后的排放问题,保证设备和人员的安全,并且结构简单,能够减少拉晶炉的冷却工序时间和停炉时间,适合当前常用的硅拉晶炉的改造。
基本信息
专利标题 :
硅晶体生长设备的尾气导走装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820162766.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-08-13
授权号 :
CN201241193Y
授权日 :
2009-05-20
发明人 :
李乔马远
申请人 :
浙江碧晶科技有限公司
申请人地址 :
312300浙江省上虞市人民西路567号
代理机构 :
杭州天勤知识产权代理有限公司
代理人 :
胡红娟
优先权 :
CN200820162766.X
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00 B08B15/04
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2016-10-05 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101681175862
IPC(主分类) : C30B 15/00
专利号 : ZL200820162766X
申请日 : 20080813
授权公告日 : 20090520
终止日期 : 20150813
号牌文件序号 : 101681175862
IPC(主分类) : C30B 15/00
专利号 : ZL200820162766X
申请日 : 20080813
授权公告日 : 20090520
终止日期 : 20150813
2009-05-20 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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