一种导模法晶体生长装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种导模法晶体生长装置,在坩埚中设置模具组件;在模具组件的下方设置若干个纵向的通道;模具组件还包括中心模具片,模具片;中心模具片和模具片相对放置;在模具片之间设置若干块中心模具片;相邻的模具片之间或者模具片与中心模具片之间设置一缝隙;利用缝隙间的毛细现象,坩埚中的原料加热融化后,可从模具底部缓慢上升到模具表面,在模具上表面上放置籽晶,即可实现LYSO晶体的导模法生长。在本生长装置中,模具上表面采用倾斜式的凹槽设计,使得熔融液面流动汇聚平缓温和,有利于晶体的生长。采用导模法生长晶体,熔体在模具中的对流作用非常小,加之熔体中不存在搅拌,因此比较容易得到成分均匀的掺质晶体。
基本信息
专利标题 :
一种导模法晶体生长装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921938675.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-08
授权号 :
CN211079403U
授权日 :
2020-07-24
发明人 :
武志龙丁言国叶崇志
申请人 :
上海新漫晶体材料科技有限公司
申请人地址 :
上海市嘉定区叶城路1611号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201921938675.5
主分类号 :
C30B15/34
IPC分类号 :
C30B15/34 C30B29/34
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/34
使用成型模或缝隙的边缘限制熔膜供料的晶体生长
法律状态
2020-07-24 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载