一种导模法晶体生长装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种导模法晶体生长装置，在坩埚中设置模具组件；在模具组件的下方设置若干个纵向的通道；模具组件还包括中心模具片，模具片；中心模具片和模具片相对放置；在模具片之间设置若干块中心模具片；相邻的模具片之间或者模具片与中心模具片之间设置一缝隙；利用缝隙间的毛细现象，坩埚中的原料加热融化后，可从模具底部缓慢上升到模具表面，在模具上表面上放置籽晶，即可实现LYSO晶体的导模法生长。在本生长装置中，模具上表面采用倾斜式的凹槽设计，使得熔融液面流动汇聚平缓温和，有利于晶体的生长。采用导模法生长晶体，熔体在模具中的对流作用非常小，加之熔体中不存在搅拌，因此比较容易得到成分均匀的掺质晶体。
基本信息
专利标题 ：
一种导模法晶体生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921938675.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-08
授权号 ：
CN211079403U
授权日 ：
2020-07-24
发明人 ：
武志龙丁言国叶崇志
申请人 ：
上海新漫晶体材料科技有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区叶城路1611号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921938675.5
主分类号 ：
C30B15/34
IPC分类号 ：
C30B15/34 C30B29/34
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/34
使用成型模或缝隙的边缘限制熔膜供料的晶体生长
法律状态
2020-07-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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