一种导模法晶体生长装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种导模法晶体生长装置,包括坩埚,所述坩埚的底部中心处固定连接有安装环,所述安装环的两侧均开设有卡槽,安装环的内部活动连接有立柱,所述立柱的底部两侧均固定连接有卡块。通过安装环与立柱的配合设置,在使用装置的时候,可以将立柱插在安装环中,将模具固定在坩埚中,避免模具歪斜,影响正常使用,在立柱的外部设置固定块结构,可以将模具从立柱上取下,调整立柱外侧模具的数量,可以根据需求调节晶片的生成长速度,适用范围更广,斜坡与辅助槽的配合设置,加大了供料速度,提升拉制速度,提高生产效率,可以改变模具局部温度,利于晶片结晶,解决晶片缩角问题,保证晶片的完整。
基本信息
专利标题 :
一种导模法晶体生长装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022462831.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-10-30
授权号 :
CN213680973U
授权日 :
2021-07-13
发明人 :
陈燕平孙义林官维民黄志强
申请人 :
福州致卓晶体光电科技有限公司
申请人地址 :
福建省福州市鼓楼区工业路523号福州大学创业楼320室
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202022462831.4
主分类号 :
C30B15/34
IPC分类号 :
C30B15/34
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/34
使用成型模或缝隙的边缘限制熔膜供料的晶体生长
法律状态
2021-07-13 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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