一种用于导模法晶体生长的模具及装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于导模法晶体生长的模具及装置，所述模具包括：导模板；毛细通孔，设置于所述导模板，所述毛细通孔贯穿所述导模板并连接所述导模板的出料表面和进料表面。通过在导模板上设置贯穿导模板毛细通孔，使熔体在毛细管作用下从进料表面沿毛细通孔爬升至出料表面，并均匀地从出料表面溢出，实现制备大尺寸晶体时熔体的稳定供给，增加了生长的晶体的厚度，提高晶体的制备效率。
基本信息
专利标题 ：
一种用于导模法晶体生长的模具及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202120365820.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-02-08
授权号 ：
CN216338067U
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
齐红基赛青林
申请人 ：
杭州富加镓业科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市富阳区春江街道江南路68号第23幢301室
代理机构 ：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘文求
优先权 ：
CN202120365820.6
主分类号 ：
C30B15/34
IPC分类号 ：
C30B15/34
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/34
使用成型模或缝隙的边缘限制熔膜供料的晶体生长
法律状态
2022-04-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
