用于熔盐法晶体生长的籽晶下种装置
授权
摘要
本实用新型涉及晶体生长技术领域,尤其涉及一种用于熔盐法晶体生长的籽晶下种装置,该装置包括:用于存放高温熔液的坩埚和与其配套使用的双孔保温塞;籽晶固定装置包括可移动的籽晶杆,籽晶杆末端设置有籽晶固定叉子,籽晶固定叉子连接设有籽晶;电流计一端通过电流计第二导线浸入于高温熔液中,电流计另一端通过电流计第一导线连接在所述籽晶固定叉子上。采用该装置下种操作时无需人眼靠近高温炉体,可以直接从电流计变化即可判断下种是否成功,操作简单可靠,操作方法简单、成本低,适于产业化,可以通过称重系统记录籽晶重量变化判断下种温度是否合适,下种温度精确可靠。
基本信息
专利标题 :
用于熔盐法晶体生长的籽晶下种装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021615737.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-08-06
授权号 :
CN212713831U
授权日 :
2021-03-16
发明人 :
王鸿雁王世武张芳
申请人 :
青岛海泰光电技术有限公司
申请人地址 :
山东省青岛市崂山区株洲路177号(惠特工业城内)
代理机构 :
济南誉琨知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
庞庆芳
优先权 :
CN202021615737.1
主分类号 :
C30B9/12
IPC分类号 :
C30B9/12
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B9/00
使用熔融态溶剂之熔体的单晶生长
C30B9/04
熔融溶液冷却法
C30B9/08
使用其他溶剂的
C30B9/12
盐溶剂,例如助熔剂生长
法律状态
2021-03-16 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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