熔盐籽晶法生长低温相偏硼酸钡单晶
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
关于熔盐籽晶法生长晶体的方法。用这种方法生长的低温相偏硼酸钡单晶，经全面性能测试工作，证实该晶体是一种优良的非线性光学、热电等多功能材料，其培养方法包括配料、下籽晶、生长三个步骤，采用Na2O或NaF作助熔剂；籽晶的位置位于熔液表面；籽晶取向为C轴方向；籽晶以0.03℃/小时—0.2℃/小时的速率生长。用这种方法，可稳定地生长出Φ67mm，中心厚度达15毫米、呈立碗形的大单晶。
基本信息
专利标题 ：
熔盐籽晶法生长低温相偏硼酸钡单晶
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1045282A
申请号 ：
CN85101617.0
公开（公告）日 ：
1990-09-12
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
江爱栋
申请人 ：
中国科学院福建物质结构研究所
申请人地址 ：
福建省福州市西河
代理机构 ：
中国科学院福建物质结构研究所专利代理处
代理人 ：
何小星
优先权 ：
CN85101617.0
主分类号 ：
C30B29/10
IPC分类号 ：
C30B29/10 C30B9/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
法律状态
2000-11-22 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1990-09-12 ：
其他有关事项解密公告的申请
1990-09-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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