一种籽晶生长装置
授权
摘要

本实用新型提供一种籽晶生长装置,所述装置包括外坩埚、内坩埚和坩埚盖,所述内坩埚呈顶部开口结构,所述内坩埚包括拉杆,所述拉杆垂直固定于所述内坩埚的底部中心处;所述坩埚盖的下表面中心包括小孔;所述拉杆与所述小孔活动连接;所述坩埚盖盖合于所述外坩埚的顶部开口处,使得所述内坩埚位于所述外坩埚的内部空间,所述内坩埚的外壁与所述外坩埚的内壁、所述坩埚盖的下表面不触碰;所述外坩埚底部中心包括圆柱形籽晶平台,用于固定籽晶。本实用新型提供的坩埚可以避免因晶体逆向生长所导致粘接不均匀以及晶体内应力增加的缺陷。

基本信息
专利标题 :
一种籽晶生长装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922045291.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-22
授权号 :
CN211713256U
授权日 :
2020-10-20
发明人 :
匡怡君
申请人 :
上海联兴商务咨询中心
申请人地址 :
上海市奉贤区沿钱公路5601号1幢
代理机构 :
北京市海问律师事务所
代理人 :
陈吉云
优先权 :
CN201922045291.7
主分类号 :
C30B29/36
IPC分类号 :
C30B29/36  C30B35/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2020-10-20 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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