一种籽晶托以及碳化硅单晶生长装置
授权
摘要
本申请公开了一种籽晶托以及碳化硅单晶生长装置，其中籽晶托设于坩埚口并与坩埚形成密封腔，所述籽晶托贴紧在所述坩埚口的底面上设有籽晶，所述籽晶托远离坩埚口的顶面上设有与籽晶对应的厚度变化面，所述厚度变化面与籽晶托底面之间的间距从中心向边缘逐渐增加。本申请通过设置通过设置厚度变化面，降低籽晶托的径向的温差，保障安装在籽晶托上的籽晶受热均匀，籽晶上面生成的单晶内部应力小，达到实现生成高品质的单晶的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种籽晶托以及碳化硅单晶生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122231217.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-15
授权号 ：
CN216473576U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
姚秋鹏皮孝东徐所成王亚哲陈鹏磊程周鹏
申请人 ：
浙江大学杭州国际科创中心
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区市心北路99号5楼
代理机构 ：
杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
姚宇吉
优先权 ：
CN202122231217.1
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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