一种PVT生长SiC单晶籽晶粘接盘

授权

摘要

本实用新型涉及半导体材料SiC单晶生长领域，具体公开了一种PVT生长SiC单晶籽晶粘接盘，所述籽晶粘接盘包括籽晶和石墨圆板，籽晶粘接于石墨圆板上，石墨圆板直径不小于籽晶直径，石墨圆板上设置有数个等间距的凹坑，凹坑外缘与籽晶边缘相切，本实用新型所涉及的籽晶粘接盘结构减小了籽晶粘接应力，使得PVT方法生长出的碳化硅单晶晶体缺陷密度降低，晶体更容易与粘接盘分离。所需结构无须过高成本，却改善了晶体材料的质量，而且可以减少企业的生产成本，使得碳化硅材料在半导体领域的应用中发挥更好更高效的作用。

基本信息

专利标题：

一种PVT生长SiC单晶籽晶粘接盘

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020485292.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-04-07

授权号：

CN212103066U

授权日：

2020-12-08

发明人：

包文东陈吉堃陈诺夫惠峰陆贵兵普世坤林作亮胡文瑞

申请人：

云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司

申请人地址：

云南省临沧市临翔区忙畔街道忙畔社区喜鹊窝组168号

代理机构：

昆明祥和知识产权代理有限公司

代理人：

董昆生

优先权：

CN202020485292.3

主分类号：

C30B29/36

IPC分类号：

C30B29/36 C30B23/00