一种生长蓝宝石单晶的锥形籽晶结构

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摘要

本实用新型涉及一种生长蓝宝石单晶的锥形籽晶结构。该结构整体为呈锥形的锥形籽晶，包括嵌入籽晶夹内部分呈倒梯形的倒梯形籽晶、位于中间长方形四面棱角倒角的长方形籽晶和底部呈半球锥状的半球锥状籽晶；倒梯形籽晶整体嵌入在籽晶夹内，表面设置有增强与籽晶夹之间摩擦力的直线型凹槽，并在其上部拐角处进行倒圆角设计；中间位置是四面倒角的长方形籽晶，该位置上端与倒梯形籽晶衔接，下端与半球锥状籽晶衔接；底部半球锥状籽晶的中心与长方形籽晶及倒锥形籽晶三者中心轴一致，底部与溶体液面接触。本实用新型锥形籽晶可以更好的继承籽晶的遗传特性，减少晶体缺陷提高产出比率，大幅度提高引晶过程中的自动化控制，提高工作效率降低生产制造成本。

基本信息

专利标题：

一种生长蓝宝石单晶的锥形籽晶结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021445409.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-21

授权号：

CN212505155U

授权日：

2021-02-09

发明人：

左洪波杨鑫宏李铁李忠雪杨立明

申请人：

哈尔滨秋硕半导体科技有限公司

申请人地址：

黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街357号

代理机构：

代理人：

优先权：

CN202021445409.1

主分类号：

C30B29/20

IPC分类号：

C30B29/20 C30B17/00