铸造单晶硅用籽晶的制备方法、铸造单晶硅用籽晶、铸造单晶硅

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明公开了一种铸造单晶硅用籽晶的制备方法、铸造单晶硅用籽晶和铸造单晶硅。铸造单晶硅用籽晶的制备方法的步骤为：利用定向凝固方法制备铸造单晶硅锭；将所述铸造单晶硅锭切割成原始籽晶；对所述原始籽晶进行热处理，得到所述籽晶，所述热处理的温度不高于1200℃。通过对铸造单晶硅锭切割的原始籽晶进行热处理，可有效降低原始籽晶的晶体微缺陷，从而得到铸造单晶硅用籽晶，而采用该籽晶得到的铸造单晶硅锭的与采用单晶晶棒切割作为籽晶的铸造单晶硅锭制备成的电池片的效率相当。

基本信息

专利标题：

铸造单晶硅用籽晶的制备方法、铸造单晶硅用籽晶、铸造单晶硅

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112376111A

申请号：

CN202011205548.1

公开（公告）日：

2021-02-19

申请日：

2020-11-02

授权号：

CN112376111B

授权日：

2022-05-24

发明人：

雷琦何新根李小平李建敏何亮邹贵付甘胜泉程小娟

申请人：

赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司

申请人地址：

江西省新余市高新技术产业园区

代理机构：

南昌逸辰知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

刘林艳

优先权：

CN202011205548.1

主分类号：

C30B11/14

IPC分类号：

C30B11/14 C30B29/06 C30B33/02 C30B33/06