本发明公开了一种区熔单晶硅的制备方法，涉及半导体制造技术领域。该方法的一具体实施方式包括：控制线圈的功率，以使样芯被所述线圈加热，从而形成熔体；将籽晶上端垂直地浸入所述熔体中，使得所述籽晶被加热；当所述籽晶的颜色呈红色且熔融状态时，降低所述线圈的功率；控制上轴和下轴同时下拉，以形成细颈；其中，所述上轴的下拉速度为1‑1.5mm/min，所述下轴的下拉速度逐渐提升至10‑15mm/min，以使所述细颈的直径小于等于3mm、长度大于等于40‑60mm；对所述样芯进行放肩，以形成肩部和硅单晶棒；控制所述上轴上拉、所述下轴下拉，同时将所述线圈的功率降低至零，直至所述熔体与所述硅单晶棒分离，取出所述硅单晶棒。该实施方式能够解决难以实现无位错晶体的技术问题。