一种Ⅱ族元素掺杂GaAs单晶硅及其制备方法
授权
摘要
本申请涉及GaAs单晶硅技术领域，具体公开了一种Ⅱ族元素掺杂GaAs单晶硅及其制备方法。一种Ⅱ族元素掺杂GaAs单晶硅的制备方法，包括如下步骤：S1：采用水平定向凝固法合成GaAs多晶；S2：将坩埚、石英安瓿清洗干净备用；S3：将GaAs籽晶固定在坩埚籽晶槽内，取GaAs多晶和掺杂剂加入坩埚内，掺杂剂为Zn、Cd、Be、Mg中的至少一种；S4：在坩埚内加入适量B2O3封闭，将坩埚放入石英安瓿内，检验真空度合格后将封闭好的石英安瓿放入生长炉内；S5：采用VGF法生长工艺生长完毕后慢速冷却即得。本申请的Ⅱ族元素掺杂GaAs单晶硅具有优良的电学性能。
基本信息
专利标题 ：
一种Ⅱ族元素掺杂GaAs单晶硅及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114232069A
申请号 ：
CN202210173689.2
公开（公告）日 ：
2022-03-25
申请日 ：
2022-02-25
授权号 ：
CN114232069B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
李志高胡成斌朱永生
申请人 ：
北京通美晶体技术股份有限公司
申请人地址 ：
北京市通州区工业开发区东二街4号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210173689.2
主分类号 ：
C30B11/06
IPC分类号 ：
C30B11/06 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
C30B11/04
熔体中添加结晶化材料或添加在反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
C30B11/06
至少有一种但非晶体成分之全部组分是添加的
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2022-04-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 11/06
申请日 : 20220225
申请日 : 20220225
2022-03-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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