一种重掺锑硅单晶中锑元素掺杂的方法及掺杂装置
公开
摘要

本发明提供一种重掺锑硅单晶中锑元素掺杂的方法及掺杂装置。掺杂装置包括石英外罩和内载料漏斗,内载料漏斗材质选用在石墨基体上镀碳化硅涂层,内载料漏斗设置在石英外罩内部。漏斗的斗盖为配重盖,斗体下部是细长圆柱。使用时,掺杂装置通过石英外罩罩系上的连接孔放置到单晶炉内,载料漏斗下部细长圆柱部分浸入硅熔体中,随着漏斗内锑元素不断向硅熔体中掺入,漏斗内锑元素量减少,漏斗的配重盖沿着导轨下滑直到所有锑单质全部进入熔硅。由于整个掺杂过程斗体的细长圆柱部分始终处于硅熔体中,避免了锑蒸汽被炉内的氩气流吹走而造成损失。锑元素的掺入效率增加至90%,避免了重掺锑硅单晶因为掺入失败造成的成品率大幅下降。

基本信息
专利标题 :
一种重掺锑硅单晶中锑元素掺杂的方法及掺杂装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114574946A
申请号 :
CN202210164190.5
公开(公告)日 :
2022-06-03
申请日 :
2022-02-23
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
杨静韩焕鹏张伟才莫宇王世援赵堃孙伟乾刘建义曹嘉麟
申请人 :
中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请人地址 :
天津市河西区洞庭路26号
代理机构 :
天津中环专利商标代理有限公司
代理人 :
李美英
优先权 :
CN202210164190.5
主分类号 :
C30B15/04
IPC分类号 :
C30B15/04  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
C30B15/04
添加掺杂材料,例如用于n-p结的
法律状态
2022-06-03 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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