碳掺杂锗锑碲相变靶材的制备方法
授权
摘要
本发明公开了一种碳掺杂锗锑碲相变靶材的制备方法。所述制备方法包括以下步骤：以单质锗、单质锑和单质碲为原料，进行真空感应熔炼，球磨、过筛后得到锗锑碲粉体；将锗锑碲粉体和炭黑分散到含丙烯酰胺的反应体系中，经聚合反应得到均匀分布有锗锑碲粉体和炭黑的聚丙烯酰胺胶体；将分布有锗锑碲粉体和炭黑的聚丙烯酰胺胶体在无氧环境中进行煅烧，得到掺碳的锗锑碲粉体；将掺碳的锗锑碲粉体进行真空热压烧结，得到碳掺杂锗锑碲相变靶材。本发明以聚丙烯酰胺和炭黑为碳源，在聚丙烯酰胺胶体形成过程中，使锗锑碲粉体和炭黑悬浮于溶液中，促进炭黑与锗锑碲粉体充分混合，解决了现有掺碳锗锑碲靶材中碳颗粒结块导致掺杂不均匀的问题。
基本信息
专利标题 ：
碳掺杂锗锑碲相变靶材的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110527960A
申请号 ：
CN201910905550.0
公开（公告）日 ：
2019-12-03
申请日 ：
2019-09-24
授权号 ：
CN110527960B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
白平平童培云沈文兴朱刘肖翀
申请人 ：
先导薄膜材料（广东）有限公司
申请人地址 ：
广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号A区
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
颜希文
优先权 ：
CN201910905550.0
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 C22C28/00 B22F3/14 B22F1/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2019-12-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/34
申请日 : 20190924
申请日 : 20190924
2019-12-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN110527960A.PDF
PDF下载
