一种高纯度的Mo掺杂ITO靶材的制备方法
公开
摘要
本发明提供一种高纯度的Mo掺杂ITO靶材的制备方法，包括以下步骤：(1)将MoO2、SnO2、水和分散剂搅拌分散；(2)搅拌分散后，将混合溶液球磨至粒度合格；(3)将In2O3、水、分散剂和粘结剂进行乳化；(4)将乳化后的溶液加入到步骤(2)球磨后的混合液中，继续球磨至粒度合格；(5)将步骤(4)球磨合格的混合溶液进行喷雾干燥造粒；(6)将造粒后的粉体制成靶坯，再进行冷等静压、烧结。采用本发明制备方法，可以制得一种新的掺杂了高纯度MoO2的ITO靶材，该靶材可以降低靶材的电阻率，提高靶材的导电性，解决靶材的结瘤问题。
基本信息
专利标题 ：
一种高纯度的Mo掺杂ITO靶材的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114591070A
申请号 ：
CN202210029514.4
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-01-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张莉兰徐蒙钟小华高建成凤吾生
申请人 ：
先导薄膜材料有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市新站区龙子湖路与通淮南路交口西北角
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
费雯
优先权 ：
CN202210029514.4
主分类号 ：
C04B35/01
IPC分类号 ：
C04B35/01 C04B35/457 C04B35/622 C04B35/63 C23C14/08 C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/01
以氧化物为基料的
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
