一种锗靶材及其制备装置、制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及靶材技术领域，公开了一种锗靶材及其制备装置、制备方法，其制备方法包括以下步骤：将金属锗融化后注入引料区，降温冷凝得到锗块；将上述锗块加入坩埚主体中，并盖上坩埚盖；将所述坩埚主体竖直放入加热装置内；所述加热装置对融料区进行加热，保温后旋转支撑台；下降所述支撑台，将所述坩埚主体移出冷却；取出所述坩埚主体内的锗靶材胚料，并去除锗靶材胚料两端的部分，得到锗靶材。采用本发明制作时，可在一定范围内根据需要制作任意尺寸的靶材，且方便大批量生产。由于坩埚主体设置在支撑台上，制作过程中支撑台驱动坩埚主体旋转，从而去除了锗靶材内部的氧气，制作的靶材的致密度大于99％，大大提高了锗靶材的致密度，且成本低。
基本信息
专利标题 ：
一种锗靶材及其制备装置、制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114481051A
申请号 ：
CN202210025574.9
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
文崇斌王英洁朱刘童培云
申请人 ：
先导薄膜材料（广东）有限公司
申请人地址 ：
广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号A区
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
阙文锋
优先权 ：
CN202210025574.9
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 B22C9/22
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/34
申请日 : 20220111
申请日 : 20220111
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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