一种CdIn合金靶材及其制备方法
公开
摘要
本发明提供了一种CdIn合金靶材及其制备方法，属于靶材制备领域。本发明制备CdIn合金旋转靶通过熔炼法制备，简单快速，成本低廉。本发明制备方法不受制于热压烧结设备及烧结模具的限制，可实现尺寸和形状的自由调整。本发明铸造法制备的靶材具有较高的密度，致密度接近100％，明显优于烧结法制备的掺铟氧化镉靶材95％的致密度。铸造CdIn合金靶材较大程度保留了合金的金属性能，具有良好的塑性和韧性，克服了烧结法制备的掺铟氧化镉靶材脆性极大，磕碰及靶材溅射过程工艺控制稍微不良就可能造成开裂导致报废靶材的缺点。
基本信息
专利标题 ：
一种CdIn合金靶材及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114592173A
申请号 ：
CN202210029388.2
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-01-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
余飞江佩庭黄宇彬童培云朱刘
申请人 ：
先导薄膜材料有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市新站区龙子湖路与通淮南路交口西北角
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
费雯
优先权 ：
CN202210029388.2
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 C23C14/08 B22C9/24 C22C20/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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