一种纳米晶体钼合金靶材及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种纳米晶体钼合金靶材及其制备方法，所述的钼合金靶材包括钼基和少量的二次相掺杂物，二次相掺杂物至少包括氧化铝、氧化锆、氧化镧中的一种，且二次相掺杂物的添加量不大于10％。本发明通过水热法制备原始纳米粉体，通过等静压低温快速烧结制得晶粒细小的高致密坯料，进一步通过超声表面滚压技术有效去除靶材表面残余的加工痕迹，降低材料表面的粗糙度。本发明制备的纳米晶体钼合金靶材不仅其基体晶粒尺寸较小，界面密度高，而且表面具有超细晶组织，兼具更高的显微硬度、更低的表面粗糙度以及良好的耐磨性能，可满足高要求溅射镀膜的需求。
基本信息
专利标题 ：
一种纳米晶体钼合金靶材及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114351095A
申请号 ：
CN202210056516.2
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨璐魏世忠王晓东赵阳王喜然张玢梁栋
申请人 ：
河南科技大学
申请人地址 ：
河南省洛阳市洛龙区开元大道科大德园
代理机构 ：
洛阳华和知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘亚莉
优先权 ：
CN202210056516.2
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 B22F9/22 B22F1/054 B22F3/04 B22F3/10 B22F3/24 B22F5/00 C22F1/18 C22C27/04 C22C32/00 B82Y30/00 B82Y40/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/34
申请日 : 20220118
申请日 : 20220118
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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