一种CrSi基合金靶材及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种CrSi基合金靶材及其制备方法，所述CrSi基合金靶材按照原子百分比由以下成分组成：Si 1‑30％；Me 0‑10％，余量为Cr；其中，Me选自B、Nb、W、Mo、Ta、V元素中的一种或多种。本发明通过选择CrSi2合金粉、Cr粉，或者选择CrSi2合金粉、Cr粉及Me粉作为预合金粉末来制备CrSi基合金靶材；制备得到的CrSi基合金靶材相对密度高，晶粒尺寸均匀，且可有效解决传统工艺存在的靶材脆性大，易开裂、难加工的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种CrSi基合金靶材及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114262873A
申请号 ：
CN202111671890.5
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张凤戈魏铁峰张学华岳万祥张欠男李建奎
申请人 ：
北京安泰六九新材料科技有限公司;涿州安泰六九新材料科技有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区学院南路76号17幢一层101室
代理机构 ：
北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
荣红颖
优先权 ：
CN202111671890.5
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 C23C14/32 C22C27/06 B22F9/04 B22F3/15 B22F1/142
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/34
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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