一种低密度ITO靶材及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种低密度ITO靶材及其制备方法。本发明经混料、一次烧结、球磨纯化、造粒成型和二次烧结制备低密度ITO靶材，本发明无需外加任何添加剂，无需要脱脂工艺，仅在纯水的作用下，置于空气常压烧结气氛下高温烧结即可得到相对密度在35％‑70％的疏松多孔的ITO靶材。本发明的生产过程不产生废气，且设备简单，成本低，周期短。
基本信息
专利标题 ：
一种低密度ITO靶材及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110655387A
申请号 ：
CN201911089563.1
公开（公告）日 ：
2020-01-07
申请日 ：
2019-11-08
授权号 ：
CN110655387B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
钟小华刘文杰童培云
申请人 ：
先导薄膜材料（广东）有限公司
申请人地址 ：
广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号A区
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
颜希文
优先权 ：
CN201911089563.1
主分类号 ：
C04B35/01
IPC分类号 ：
C04B35/01 C04B35/622 C04B35/626 C23C14/34
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IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/01
以氧化物为基料的
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2020-02-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C04B 35/01
申请日 : 20191108
申请日 : 20191108
2020-01-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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