溅射靶材、靶材组件及靶材组件的制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种溅射靶材，包括靶材本体；靶材本体侧面外凸形成环形凸部；靶材本体的正面相对于环形凸部的正面凸出，靶材本体的背面相对于环形凸部的背面凸出。本发明还公开了一种靶材组件，包括所述的溅射靶材和设置在环形凸部背面的背板环，以及可选择性的设置在环形凸部正面的正面环。本发明还公开了所述靶材组件的制作方法，将环形凸部与背板环，或背板环、正面环，进行焊接接合，焊接头自背板环背面靠近外侧面插入直至接触或伸入环形凸部或正面环，焊接过程中焊接头逐渐向背板环内侧面移动。
基本信息
专利标题 ：
溅射靶材、靶材组件及靶材组件的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114351096A
申请号 ：
CN202210091744.3
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大岩一彦姚科科山田浩
申请人 ：
浙江最成半导体科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市越城区银桥路326号
代理机构 ：
杭州天勤知识产权代理有限公司
代理人 ：
高佳逸
优先权 ：
CN202210091744.3
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 B23K15/00 B23K20/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/34
申请日 : 20220126
申请日 : 20220126
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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