一种靶材组件
授权
摘要
本实用新型提供了一种靶材组件；所述靶材组件包括：背板和设置在背板一侧表面的靶材层，所述靶材层包括溅射区和环绕区，所述环绕区远离所述背板一侧表面的表面积为溅射区远离所述背板一侧表面的表面积的5‑10％；通过调节靶材组件中环绕区远离背板一侧表面的表面积，并对环绕区进行特殊的结构设置，从而增加靶材在环绕区的附着面积以及附着力，从而减少靶材在环绕区溅射形成的膜层起皮的情况，从而增加靶材的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种靶材组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921619190.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-26
授权号 ：
CN210506510U
授权日 ：
2020-05-12
发明人 ：
姚力军潘杰王学泽呼雷
申请人 ：
合肥江丰电子材料有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市新站区大禹路1555号
代理机构 ：
北京远智汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
王岩
优先权 ：
CN201921619190.X
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-05-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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