一种IGZO靶材的制备方法
授权
摘要
本发明属于靶材制备技术领域，公开了一种IGZO靶材的制备方法。该制备方法包括以下步骤：(1)将ZnO、In2O3和Ga2O3混合，加入助剂，湿磨，干燥，过筛，制得混合粉体；(2)将步骤(1)制得的混合粉体分成混合粉体A和混合粉体B两部分，将所述混合粉体A压制成型，制得坯体；(3)将所述混合粉体B与所述坯体分别置于炉腔的上、下层，于封闭炉腔内对所述混合粉体B加热，然后对所述坯体加热，冷却，制得所述IGZO靶材。采用该制备方法制得的IGZO靶材致密度高、均匀性高、电阻率小，相对密度大于99.5％，电阻率小于9×10‑3Ω·cm。该制备方法烧结工艺简单，对设备要求低，更加安全经济。
基本信息
专利标题 ：
一种IGZO靶材的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112537954A
申请号 ：
CN202011499754.8
公开（公告）日 ：
2021-03-23
申请日 ：
2020-12-17
授权号 ：
CN112537954B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
王晨丁金铎葛春桥柳春锡金志洸崔恒
申请人 ：
中山智隆新材料科技有限公司
申请人地址 ：
广东省中山市板芙镇古神公路智能制造装备产业园
代理机构 ：
广州嘉权专利商标事务所有限公司
代理人 ：
尹凡华
优先权 ：
CN202011499754.8
主分类号 ：
C04B35/453
IPC分类号 ：
C04B35/453 C04B35/01 C04B35/622
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/01
以氧化物为基料的
C04B35/453
以氧化锌、氧化锡或氧化铋或与其他氧化物的固溶体为基料的
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2021-04-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C04B 35/453
申请日 : 20201217
申请日 : 20201217
2021-03-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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